薄膜沉积设备市场中PECVD占比约三分之一，其市场规模增长主要由三大因素驱动：逻辑芯片向先进制程演进增加薄膜沉积工序、3D NAND堆叠层数提升拉动PECVD与ALD需求、以及中国晶圆厂扩产带来的国产化需求。
先进制程驱动工序量增加
随着逻辑芯片从90nm向更先进制程演进，薄膜沉积工序数显著增长。以90nm CMOS工艺为例，薄膜沉积工序约40道；而到了3nm FinFET工艺产线，工序数提升至约100道。工序量的直接增加，带动了薄膜沉积设备（包括PECVD）的需求量提升。
3D NAND堆叠层数提升拉动需求
芯片向3D化方向发展后，薄膜沉积设备的资本开支占比明显提升。数据显示，在2D NAND Flash产线中，薄膜沉积设备资本开支占比约为18%；而在3D NAND Flash产线中，这一比例提升至26%。堆叠层数的增加（如64层、128层）对PECVD和ALD设备的需求形成持续拉动。
中国晶圆厂扩产与国产化需求
中国大陆薄膜设备市场需求持续增长。据测算，中国大陆对CVD和PVD的市场需求合计在200亿元左右。以长江存储、华虹无锡、华力集成等为代表的国内晶圆厂扩产，带动了薄膜沉积设备的采购量，国产设备厂商（如拓荆科技、北方华创）的市占率逐步提升，进一步推动了市场增长。
常见问题
为什么PECVD在薄膜沉积设备中占比最大？
PECVD（等离子体增强化学气相沉积）因其沉积速率高、薄膜质量好、工艺温度低等优势，广泛应用于逻辑芯片和存储芯片的介质层沉积，是薄膜沉积设备中份额最大的品类，占比约33%。
3D NAND堆叠层数提升对哪些设备需求拉动最明显？
3D NAND堆叠层数的增加主要拉动PECVD和ALD设备的需求。PECVD用于介质层的快速沉积，而ALD则因其原子层级的精度，在先进制程和3D结构中对薄膜厚度控制至关重要，虽然当前占比仅11%，但增长潜力最大。
中国晶圆厂扩产对国产薄膜沉积设备厂商有何影响？
中国晶圆厂扩产为国产设备厂商提供了重要的市场机会。以长江存储为例，其采购数据显示，国产设备厂商（如拓荆科技、北方华创）在薄膜沉积设备中的中标占比逐步提升，国产化率在部分产线已达到10%左右，推动国产替代进程。