PECVD（等离子体增强化学气相沉积）是薄膜沉积设备中占比最大的细分品类，份额达到33%。这一环节对上游特种气体、射频电源、真空泵及腔体零部件等供应链具有显著的拉动作用，同时下游晶圆厂扩产也直接带动PECVD设备的采购需求。
薄膜沉积设备品类份额分布
薄膜沉积设备市场构成较为分散，主要品类包括PECVD（33%）、溅射PVD（19%）、管式CVD（12%）、ALD（11%）等。PECVD凭借在介质薄膜沉积中的广泛应用，成为规模最大的细分领域。
PECVD对上游供应链的拉动
PECVD设备的制造与运行依赖多种上游材料和零部件：
- 特种气体：沉积工艺中需使用硅烷、氨气等反应气体，PECVD设备需求的增长直接拉动这些特种气体的供应。
- 射频发生器：PECVD利用等离子体增强化学反应，射频电源是核心部件之一。
- 真空泵与腔体零部件：PECVD设备需要在真空环境下运行，真空泵及腔体组件（如气体分配盘、加热器）是设备的重要组成部分。
下游晶圆厂扩产的影响
随着制程进步和芯片向3D化方向发展，薄膜沉积工序数显著增加。例如，从90nm CMOS工艺的40道工序增至3nm FinFET工艺的100道。晶圆厂扩产时，对PECVD等薄膜沉积设备的采购需求随之提升。国内主要晶圆厂如长江存储、华虹集团等均有PECVD设备采购记录。
常见问题
PECVD设备的主要国产供应商是谁？
国内唯一实现PECVD设备产业化的厂商是拓荆科技，其产品已覆盖180-14nm逻辑芯片及64-128层3D NAND存储芯片的介质薄膜沉积。
除PECVD外，哪些薄膜沉积设备份额较高？
溅射PVD占比19%，是仅次于PECVD的第二大品类，主要由北方华创等厂商布局，覆盖90-14nm制程。
晶圆厂扩产对薄膜沉积设备的整体需求有何影响？
薄膜沉积设备在3D NAND芯片产线资本开支中的占比从2D时代的18%提升至3D时代的26%，扩产直接带动设备采购。