中国政府对半导体设备国产化的政策扶持，正通过大基金直接投资、税收优惠及国内晶圆厂采购倾斜等方式，重点推动薄膜沉积设备中份额最大的PECVD品类实现国产替代。PECVD在薄膜沉积设备市场中占比约33%，国产化空间最为广阔；同时，以拓荆科技、北方华创为代表的国产厂商已在政策驱动下取得实质性落地成果。
政策框架：三大维度支持国产化
政策支持主要围绕三个层面展开：大基金直接注资（如国家集成电路产业投资基金持有拓荆科技约19.86%股份）、集成电路企业所得税优惠，以及国内晶圆厂设备国产化率考核要求。这些政策共同为国产薄膜沉积设备创造了从资金、成本到市场准入的全链条支持环境。
差异化影响：PECVD受益最大
由于各品类国产化基础不同，政策影响呈现差异化：
- PECVD（占比33%）：国产化空间最大。拓荆科技是国内唯一实现PECVD设备产业化的厂商，产品覆盖180-14nm逻辑芯片及64/128层3D NAND，受益于晶圆厂国产化率要求，其PECVD产销量持续增长。
- 溅射PVD（占比19%）：北方华创在此领域优势突出，已推出13款PVD产品，覆盖90-14nm制程，在长江存储等客户中中标占比可达约20%。
- ALD（占比11%）：作为“兵家必争之地”，拓荆科技的PEALD设备可应用于14nm及以下逻辑芯片，北方华创ALD则覆盖28nm节点，政策正加速这一高价值品类的国产验证。
政策落地效果：国产化率稳步提升
从主要晶圆厂的中标数据看，政策效果已初步显现。以华虹无锡为例，2020年北方华创薄膜设备中标国产化率约7%，沈阳拓荆约11%；华力集成2020年北方华创中标率约10%，拓荆约5%。虽然整体国产化率仍处于较低水平，但较此前已有明显增长，且PECVD作为最大品类正成为国产替代的先锋。
常见问题
大基金对薄膜沉积设备的具体支持方式是什么？
大基金一期、二期通过直接股权投资支持国产设备厂商。例如，国家集成电路产业投资基金持有拓荆科技约19.86%的股份，为其研发和产业化提供了长期资本支撑。
国产PECVD设备目前能达到什么工艺节点？
拓荆科技的PECVD设备已实现产业化应用，工艺覆盖180nm至14nm的逻辑芯片，以及64层和128层的3D NAND闪存芯片制造，可兼容氧化硅、氮化硅等多种介质材料。
北方华创在薄膜沉积领域的优势是什么？
北方华创在溅射PVD领域具备较强竞争力，已推出多款覆盖90-14nm制程的PVD产品，并在长江存储等客户中实现批量中标。此外，其在CVD和ALD方向也有布局，但PECVD主要用于泛半导体领域，与拓荆科技重合度不高。