薄膜沉积工序从90nm CMOS工艺的40道增至3nm FinFET工艺产线的100道，直接拉动了对薄膜沉积设备的需求，其中ALD（原子层沉积）设备被认为是受益最突出的环节，同时PVD、CVD及产业链上游的材料、零部件环节也同步受益。
工序数的翻倍增长是薄膜沉积设备市场扩容的核心驱动之一。从90nm的40道到3nm的100道，工序数量的增加意味着产线对薄膜沉积设备的需求量显著上升。在各类设备中，ALD因其能实现原子层级别的厚度控制，是满足先进制程和3D结构需求的关键，被业内视为“兵家必争之地”。尽管ALD目前在整个薄膜沉积设备市场中占比约11%，但其需求增速被认为显著高于行业平均。此外，芯片向3D化方向发展后，堆叠层数与薄膜工艺直接挂钩，薄膜沉积设备在3D NAND产线资本开支中的占比也从2D时代的18%提升至26%。
产业链受益环节的传导逻辑
薄膜沉积工序增加带来的需求，沿着“设备→材料→零部件”的链条逐级传导。
- 设备端：除ALD外，占比最大的PECVD（约占市场33%）和溅射PVD（约占19%）同样受益于工序数增长。不同制程节点对设备的需求量差异明显，例如从180nm 8寸产线到90nm 12寸产线，PVD设备需求量从每万片产能4.8台增至24.0台，CVD设备需求量从9.9台增至42.0台，印证了制程升级对设备数量的直接拉动。
- 材料与零部件端：设备需求的增长必然带动上游前驱体、靶材等材料以及精密零部件的需求。这一传导机制属于产业链的自然联动，具体受益幅度需结合各环节的产能与配套能力观察。
国产设备厂商的布局与定位
在国产替代进程中，薄膜沉积设备领域已形成两大主力厂商。
| 厂商 | 优势领域 | 制程覆盖 |
|---|---|---|
| 拓荆科技 | PECVD（国内唯一实现产业化的厂商）、ALD | PECVD覆盖180-14nm逻辑芯片及64/128层3D NAND；PEALD可应用于14nm及以下逻辑芯片 |
| 北方华创 | 溅射PVD（优势方向）、CVD、ALD | PVD覆盖90-14nm多个制程工艺；ALD技术节点覆盖至28nm |
从国内产线中标数据看，北方华创在溅射PVD细分设备中占比约20%，拓荆科技在CVD类设备中占比约2-3%，不同产线的薄膜沉积设备国产化率总体在10%左右，国产替代仍有较大提升空间。
常见问题
为什么ALD被认为是受益最大的环节？
ALD能够对薄膜厚度实现原子层级别的精确控制，在28nm以下的FinFET工艺中，ALD沉积的Spacer材料宽度直接决定Fin的宽度，是制约逻辑芯片先进程度的核心因素之一。随着制程向3nm推进，ALD的应用场景持续扩展，因此其需求增速被认为显著高于行业平均。
薄膜沉积工序数增长对设备价值量有何影响？
工序数从40道增至100道，直接意味着产线需要配置更多的薄膜沉积设备。从历史数据看，从180nm 8寸产线升级到90nm 12寸产线，PVD和CVD设备的需求量均有数倍增长。制程越先进，薄膜沉积设备在晶圆制造总投入中的占比越高，在3D NAND产线中这一占比已达26%。
国产设备厂商在哪些环节具备竞争力？
拓荆科技在PECVD领域是国内唯一实现产业化的厂商，其PEALD设备可用于14nm及以下逻辑芯片；北方华创的优势集中在溅射PVD领域，并已推出多款覆盖90-14nm制程的产品。两家公司在ALD领域均有布局，但技术节点覆盖存在差异，整体国产化率仍有较大提升空间。