薄膜沉积设备的国产化率从0突破到11%左右，大约用了十年时间。以华虹无锡2020年的中标数据为标志，其薄膜沉积设备国产化率达到了11%（其中沈阳拓荆占11%，北方华创占7%），这标志着国产设备在主流晶圆厂中实现了从零到“破十”的关键跨越。
国产化起步：从0到1的突破
国产薄膜沉积设备的产业化起点可追溯至2010年沈阳拓荆的成立。该公司专注于PECVD（化学气相沉积）设备，是国内唯一实现PECVD产业化的厂商。早期阶段，国产设备在晶圆厂的中标率几乎为零。转折点出现在2018年：长江存储首次中标沈阳拓荆的薄膜设备（1台），北方华创也中标2台，国产化率开始出现实质性突破。
关键拐点：客户验证与工艺爬坡
国产化率从个位数跃升至10%以上，主要依靠两大拐点：
- 首台PECVD进入量产线：沈阳拓荆的PECVD设备（PF-300T系列）在28nm以上逻辑芯片和64/128层3D NAND存储芯片中实现产业化应用，并通过华虹集团、长江存储等头部客户的严格验证。
- 工艺节点向14nm延伸：拓荆科技的PEALD设备已可覆盖14nm及以下逻辑芯片的SADP工艺，北方华创的PVD产品覆盖90nm至14nm制程，使国产设备在先进制程领域具备竞争力。
政策与客户的双重加速
国家政策（如02专项、大基金）和下游客户的开放验证，共同加速了国产化进程。从长江存储的采购数据看，沈阳拓荆的中标数量从2018年的1台增长至2020年的3台，北方华创从2台增至4台。华虹无锡的国产化率从2019年的5%（拓荆）提升至2020年的11%，说明国产设备已具备在主流产线中批量替代进口的能力。
常见问题
薄膜沉积设备国产化率11%的数据来源是什么？
该数据源自华虹无锡2020年的薄膜沉积设备中标统计（按机台数量计算），其中沈阳拓荆占比11%，北方华创占比7%。其他晶圆厂如华力集成2020年国产化率也达到10%左右（北方华创占10%）。
国产薄膜沉积设备目前能覆盖哪些制程？
沈阳拓荆的PECVD覆盖180nm至14nm逻辑芯片，北方华创的PVD覆盖90nm至14nm，两家公司的ALD设备分别覆盖至14nm（拓荆）和28nm（北方华创）。产品已进入中芯国际、华虹集团、长江存储等主流客户产线。
国产厂商在ALD领域布局如何？
ALD是薄膜沉积设备中增长最快的细分品类（占比11%）。沈阳拓荆的PEALD设备已应用于28-14nm的SADP工艺，北方华创的ALD产品覆盖28nm FinFET和3D NAND工艺。两家公司均处于国内领先水平，但整体市场份额仍由应用材料、东京电子等国际巨头主导。