薄膜沉积设备的需求量确实随制程升级而成倍放大：180nm 8寸产线的PVD需求为4.8台/万片、CVD为9.9台，到90nm 12寸产线，PVD升至24.0台、CVD升至42.0台。 需求倍增意味着验证与放量窗口同步打开，而这一品类的国产替代呈现"细分赛道各自突破"的格局：拓荆科技是国内唯一实现PECVD设备产业化的厂商，北方华创的优势集中在溅射PVD方向，两家在ALD领域均有布局。

需求量为什么随制程倍增

薄膜沉积与刻蚀的产业逻辑高度相似，成长动力主要来自两端。一是制程进步后工序量增加：90nm CMOS工艺的薄膜沉积工序数为40道，3nm FinFET工艺产线增至100道。二是芯片向3D化发展后，堆叠层数与薄膜工艺直接挂钩，薄膜沉积在2D NAND FLASH产线资本开支中占比18%，在3D产线提升至26%。工序数与开支占比同时抬升，直接体现为单条产线的设备台数需求放大。

国产替代在各细分赛道的进展

薄膜沉积市场格局分散，占比最大的PECVD也仅33%，因此更考验厂商对薄膜材料覆盖的广度与深度。从长江存储的招标数据看，北方华创在溅射PVD细分中占比可达20%左右；CVD类设备的国产供应商主要是沈阳拓荆，合计占比约2-3%。华虹无锡、华力集成的薄膜沉积设备国产化率相对更高，总体在10%左右。

厂商优势方向覆盖情况
拓荆科技PECVD工艺覆盖180-14nm逻辑芯片、64和128层3D NAND；PEALD可应用于14nm及以下逻辑芯片
北方华创溅射PVDPVD、CVD、ALD三大方向均有布局，PVD覆盖90-14nm多个制程工艺

自主可控路径上的突破点与瓶颈

突破点在于品类覆盖的完整性。拓荆科技已覆盖规模最大的PECVD和需求增长最快的ALD，并延伸至SACVD；北方华创推出多款PVD产品，可用于集成电路和功率半导体等领域。ALD被视为"兵家必争之地"，其沉积的Spacer材料宽度直接决定Fin的宽度，是制约逻辑芯片先进程度的核心因素之一。

瓶颈则在于细分赛道仍由国际巨头主导，且国产化率在不同产线之间差异较大。此外，设备从生产完成并发货到客户验收完成销售之间存在一定验收周期，产业化验证的节奏也会影响放量速度。

常见问题

薄膜沉积设备中哪一类需求增长最快？

需求增长最快的是ALD（原子层沉积）。它能够较好满足先进制程和3D结构的需求，目前占比为11%，但属于产业重点布局方向。拓荆科技的PEALD设备已在14nm及以下逻辑芯片应用，北方华创的ALD产品技术节点覆盖至28nm。

国产薄膜沉积设备目前能覆盖哪些制程？

以两家主力厂商为例，拓荆科技的PECVD工艺覆盖180-14nm逻辑芯片以及64和128层3D NAND；北方华创的溅射PVD覆盖90-14nm多个制程工艺。整体看，国产设备已在中成熟制程形成产业化应用，更先进节点的产品多处于产业化验证或研发阶段。

为什么薄膜沉积设备市场难以被单一厂商通吃？

因为市场构成分散，占比最多的PECVD份额也只有33%，且各类沉积方法因特点不同、适用领域不同，不存在明显的替代关系。这意味着厂商需要在多种薄膜材料上同时具备覆盖的广度和深度，而不是依靠单一品类取胜。