在薄膜沉积设备市场中,东京电子在ALD(原子层沉积)细分赛道以约45%的份额位居第一,应用材料约29%、泛林半导体约26%。ALD虽仅占薄膜沉积设备市场约11%,却是先进制程与3D结构的关键环节。出口管制与各国本土扶持政策,正从供应端重塑这一格局:短期看,管制会加速区域供应链分化与国产替代节奏;中长期格局如何演变,需结合政策落地力度与第三方实测数据持续观察。

ALD为何是“兵家必争之地”

ALD通过逐层循环生长,可对材料厚度实现原子层级别控制,能较好满足先进制程和3D结构需求。在自对准双重成像(SADP)工艺中,ALD沉积的Spacer材料宽度直接决定Fin的宽度,是制约逻辑芯片先进程度的核心因素之一。除先进制程外,ALD还广泛应用于金属栅、BSI等工艺,可用于制造CMOS器件、存储芯片和TSV封装。正因其不可替代性,尽管当前占比不高,却成为薄膜沉积领域竞争最集中的细分赛道之一。

竞争格局与政策变量

薄膜沉积设备各细分赛道长期由应用材料、东京电子等国际厂商主导,市场构成较为分散,占比最大的PECVD也仅约33%,考验厂商对薄膜材料覆盖的广度与深度。出口管制与产业扶持政策带来的变化主要体现在两方面:一是设备供应受到更严格的合规约束,客户采购决策更趋审慎;二是本土扶持推动区域厂商加快验证与导入。国内方面,拓荆科技的PEALD设备在国内处于领先地位,产品可广泛应用于14nm及以下逻辑芯片;北方华创在PVD、CVD和ALD三大方向均有布局,ALD技术节点覆盖至28nm。

细分赛道主要厂商及份额
ALD东京电子45%、应用材料29%、泛林半导体26%
CVD应用材料28%、泛林半导体25%、先晶半导体17%、东京电子11%
PVD应用材料85%、东京电子15%

国产替代节奏怎么看

国内薄膜沉积设备的国产化率因产线而异:北方华创在溅射PVD细分中占比较高,可达20%左右;CVD类设备国产供应商主要是沈阳拓荆,总占比约2-3%。华虹无锡、华力集成等产线的薄膜设备国产化率总体在10%左右。政策扶持为国产设备提供了验证窗口,但先进制程对均匀性、纯度等指标要求极高,导入节奏仍取决于客户验证进展。格局重塑并非线性过程,需以官方后续公布及第三方实测为准。

常见问题

东京电子在ALD设备市场的份额是多少?

东京电子在ALD细分赛道约占45%的份额,位居第一,应用材料约29%、泛林半导体约26%。这一格局数据来自Gartner、转引自拓荆科技招股书的华创证券整理。

ALD设备占薄膜沉积市场的比重高吗?

ALD约占薄膜沉积设备市场的11%,占比并不高,但它是先进制程和3D结构的关键环节,被称为“兵家必争之地”。占比最大的PECVD也仅约33%,整体市场构成较为分散。

出口管制会如何影响ALD设备供应格局?

出口管制会加速区域供应链分化,并推动本土厂商加快验证与导入。国内拓荆科技的PEALD设备可应用于14nm及以下逻辑芯片,北方华创ALD覆盖至28nm,但替代节奏仍取决于客户验证与政策落地力度。