国家集成电路产业投资基金股份有限公司（俗称“国家大基金”）位列拓荆科技第一大股东，持股比例为19.86%。在薄膜沉积产业链中，设备厂商的价值分配主要通过“平台（TM）+反应腔（PM）”的销售结构来实现：一台薄膜沉积设备由1个平台和多个反应腔组成，销售单位灵活——既可整机交付，也可单独投产或销售反应腔。价值捕获的广度，则取决于厂商对薄膜材料与工艺的覆盖能力。拓荆科技已覆盖PECVD、ALD和SACVD三类设备，其PECVD产品工艺覆盖180-14nm逻辑芯片及64层、128层3D NAND，下游客户包括中芯国际、华虹集团、长江存储等。

一、设备厂商的价值从哪里来

薄膜沉积与刻蚀可理解为两个相反的环节：薄膜材料无差别沉积到硅片表面，再通过刻蚀去除不需要的部分，最终使晶体管集成为电路。半导体薄膜沉积主要分为CVD、PVD、ALD和外延四大类方法，各大类又衍生出PECVD、LPCVD、溅射PVD等多种技术，各自适用领域不同，不存在明显的替代关系。

对设备厂商而言，收入来自整机平台与反应腔的交付，而单位设备的产出效率与可承载的工艺种类，直接决定了单台设备的价值量。以拓荆科技为例，其每台设备由1个平台（TM）和多个反应腔（PM）组成，产量与销量按当年生产或出售的平台数量计算；若单独投产或单独销售反应腔，则不计入平台口径。这种模块化结构让厂商能够按客户工艺需求灵活配置反应腔数量与类型。

二、工艺覆盖广度决定价值分配位置

薄膜沉积设备市场构成较为分散，占比最多的PECVD份额为33%，ALD占11%，其他薄膜沉积设备（包括SACVD）占6%。要在这样的市场中立足，更多考验的是厂商对薄膜材料覆盖的广度和深度。

  • PECVD：市场规模最大的细分品类。按招股说明书披露，拓荆科技是国内唯一一家实现PECVD设备产业化的厂商。
  • ALD：占比11%，但被资料称为“兵家必争之地”，因其能满足先进制程和3D结构需求，是需求增长最快的方向。拓荆科技的PEALD设备在国内处于领先地位，可应用于14nm及以下逻辑芯片。
  • SACVD：占比6%，拓荆科技的SA-300T、SA-200T分别面向12英寸和8英寸产线。

从需求侧看，制程进步与结构3D化共同推高了薄膜沉积的工序量与设备占比：90nm CMOS工艺的薄膜沉积工序约40道，3nm FinFET工艺产线约100道；在3D NAND FLASH产线资本开支中，薄膜沉积占比由2D时代的18%升至3D时代的26%。

三、股东结构背后的产业价值信号

国家大基金以19.86%的持股比例位列拓荆科技第一大股东，中微半导体设备（上海）股份有限公司持股8.40%。设备厂商处于产业链上游关键位置，其价值实现与下游晶圆厂的采购节奏、验证周期密切相关。资料显示，产品从生产完成并发货到客户验收完成销售之间存在一定验收周期，这使报告期内的产销率低于100%。这一特征意味着，设备厂商的价值确认并非在发货时点完成，而是与客户验收进度绑定。

常见问题

拓荆科技主要做哪些薄膜沉积设备？

拓荆科技的产品覆盖PECVD、ALD和SACVD三类薄膜沉积设备，其中PECVD已覆盖180-14nm逻辑芯片及64层、128层3D NAND，ALD中的PEALD设备在国内处于领先地位，可应用于14nm及以下逻辑芯片。

半导体设备厂商如何实现价值分配？

设备由1个平台（TM）和多个反应腔（PM）组成，销售单位灵活，可整机交付，也可单独投产或销售反应腔。厂商的价值捕获能力，取决于其对薄膜材料覆盖的广度与深度，以及工艺可覆盖的制程范围。

国家大基金持股拓荆科技意味着什么？

国家大基金以19.86%持股位列第一大股东，体现了国家层面对半导体设备环节产业价值的认可。设备厂商处于产业链上游关键位置，其价值实现与下游晶圆厂的采购和验收节奏紧密相关。