拓荆PECVD设备已覆盖中芯国际、华虹集团、长江存储等主流晶圆厂，其客户布局恰好映射出半导体设备下游需求的两条主线：逻辑芯片先进制程与3D NAND存储堆叠。从产业趋势看，下游需求正从平面结构走向立体结构，从逻辑芯片向存储芯片延伸，薄膜沉积设备在产线资本开支中的占比也随之提升。

需求结构变化：从2D平面到3D立体

半导体设备下游需求最显著的变化，是芯片制造从二维平面向三维立体结构迁移。以存储芯片为例，在2D NAND时代，薄膜沉积设备在产线资本开支中占比为18%；进入3D NAND时代后，这一比例提升至26%，而光刻设备的占比则从38%下降至18%。堆叠层数越多，薄膜沉积工序越复杂，对PECVD、ALD等设备的需求量就越大。

拓荆科技的产品线精准卡位了这一趋势。其PECVD产品NF-300H针对32-128层3D NAND FLASH存储芯片，而FT-300H（PEALD）则面向128层以上3D NAND的研发。在逻辑芯片领域，拓荆PECVD工艺已覆盖180-14nm制程，其中PF-300T eX型号对应14-28nm节点，PEALD设备则应用于14nm及以下逻辑芯片的SADP工艺。

逻辑芯片：先进制程驱动薄膜沉积工序倍增

逻辑芯片制程越先进，薄膜沉积的工序数量增长越明显。从90nm CMOS工艺到3nm FinFET工艺产线，薄膜沉积工序数从40道增加至100道。先进制程采用FinFET结构后，Fin的宽度远小于光刻机可制造的最小尺寸，必须通过SADP（自对准双重成像）工艺实现，而ALD沉积的Spacer材料宽度直接决定Fin的宽度，成为制约逻辑芯片先进程度的核心环节之一。

拓荆的PEALD设备（FT-300T）已实现产业化应用，覆盖28-14nm SADP工艺及STI Liner工艺，并兼容55-40nm BSI工艺。其客户包括中芯国际、华虹集团等国内主要逻辑芯片制造商。

存储芯片：3D NAND堆叠带动薄膜沉积需求跃升

3D NAND通过增加堆叠层数来提升存储密度，而每增加一层都需要完成多次薄膜沉积与刻蚀。从长江存储的招标数据看，其CVD设备采购量在2019年达到192台、2020年为173台，ALD设备采购量在2019年为70台、2020年达到82台，薄膜沉积设备已成为存储产线扩产的核心投入。

拓荆科技在存储领域的布局覆盖了从成熟到前沿的节点：NF-300H PECVD面向32-128层3D NAND，FT-300H ALD面向128层以上3D NAND及19/17nm DRAM。在长江存储的中标数据中，拓荆（沈阳拓荆）的薄膜设备中标数量从2018年的1台增长至2019年的4台，国产化率（按机台数量计算）从1%提升至4%，虽整体占比仍不高，但已实现从零到一的突破。

常见问题

拓荆PECVD的主要客户有哪些？

拓荆PECVD设备的客户包括中芯国际、华虹集团、长江存储、重庆万国半导体等。其中中芯国际和华虹集团代表逻辑芯片需求，长江存储代表3D NAND存储需求，覆盖了薄膜沉积设备的两大核心下游领域。

3D NAND对薄膜沉积设备的需求为何高于2D？

在3D NAND结构中，堆叠层数与薄膜工艺直接挂钩。数据显示，薄膜沉积在3D NAND产线资本开支中占比为26%，高于2D时代的18%。堆叠层数越多，需要在垂直方向重复沉积的薄膜层数越多，对PECVD、ALD等设备的需求量随之显著提升。

国产薄膜沉积设备的竞争格局如何？

在薄膜沉积设备领域，各细分赛道仍由应用材料、东京电子、泛林半导体等国际巨头主导。国产厂商中，拓荆科技是PECVD领域唯一实现产业化的厂商，工艺覆盖180-14nm逻辑芯片及64/128层3D NAND；北方华创的优势则集中在溅射PVD领域，覆盖90-14nm制程。两家公司在ALD领域均有布局，拓荆的PEALD覆盖14nm及以下节点。