拓荆科技是国内首家实现PECVD（等离子体增强化学气相沉积）设备产业化的厂商，这一节点标志着国产薄膜沉积设备从实验室走向产线、从单点突破进入批量供货的关键拐点。半导体设备行业的国产化进程，正是沿着刻蚀、薄膜沉积等核心环节，从依赖进口逐步转向本土替代的路径推进，而拓荆科技在PECVD领域的产业化落地，是这条路径上具有代表性的里程碑。

从0到1：PECVD国产产业化的突破

薄膜沉积与刻蚀是半导体制造中相辅相成的两大核心工序，其中PECVD是薄膜沉积设备中市场份额最大的细分品类。长期以来，该市场由应用材料、东京电子等国际巨头主导。拓荆科技成立于2010年，其核心产品PECVD设备在招股说明书中被披露为国内唯一实现产业化的厂商，产品工艺覆盖180—14nm制程的逻辑芯片，以及64层和128层的3D NAND存储芯片。

从产销数据可以看到国产化的爬坡轨迹：拓荆科技PECVD设备销量从2018年的4台增长至2020年的31台，产量则从9台增至50台。这一增长背后，是下游晶圆厂对国产设备从验证到批量采用的转变，也是国产半导体设备从“能用”迈向“好用”的实证。

产业协同与政策支持的双重驱动

拓荆科技的股东结构也折射出行业发展的关键支撑。招股说明书披露，中微公司持股8.40%，作为刻蚀设备领域的国产龙头，其参股体现了产业链上下游设备厂商之间的协同布局；国家集成电路产业投资基金（大基金）持股19.86%，则反映了政策端对关键设备国产化的战略支持。设备厂商之间的技术协同与国家级资本的持续投入，共同构成了国产替代加速的底层动力。

国产化率的渐进提升

从下游晶圆厂的中标数据可以观察国产替代的渗透节奏。以长江存储为例，其薄膜沉积设备的国产化率（按机台数量计算）从2018年的较低水平逐步提升，其中拓荆科技在2019年中标占比达到4%。而在华虹无锡、华力集成等产线中，国产薄膜设备的占比总体在10%左右。这些数据表明，国产设备已在国内主流存储与逻辑产线中占据一席之地，但整体份额仍有较大提升空间。

常见问题

拓荆科技的PECVD设备主要用在哪些环节？

拓荆科技PECVD设备主要沉积介质材料薄膜，应用于逻辑芯片（覆盖180—14nm制程）和存储芯片（覆盖64层、128层3D NAND）的制造，客户包括中芯国际、华虹集团、长江存储等国内主要晶圆厂。

除了PECVD，拓荆科技还布局了哪些设备？

拓荆科技的产品线还覆盖了原子层沉积（ALD） 和次常压化学气相沉积（SACVD）。其中PEALD设备在国内处于领先地位，可应用于14nm及以下的逻辑芯片制造；SACVD设备则覆盖40—28nm制程。

国产薄膜沉积设备的整体竞争格局如何？

国产替代的主力是拓荆科技与北方华创。拓荆科技的核心优势在PECVD领域，是国内唯一实现产业化的厂商；北方华创的优势则集中在溅射PVD领域，产品覆盖90—14nm多个制程。两家公司在ALD领域均有布局，技术节点上各有侧重。