全球半导体薄膜沉积设备市场已从2017年的125亿美元增长至172亿美元，其中PECVD是占比最大的细分品类，份额达33%。拓荆科技（拓荆科技股份有限公司）正是国内唯一实现PECVD设备产业化的厂商，其产品已覆盖180-14nm逻辑芯片及64/128层3D NAND制造，在制程升级与存储芯片3D化两大趋势驱动下，国产替代带来的增长空间值得关注。
市场增长的两大核心驱动
薄膜沉积设备的需求增长主要来自两方面。其一是制程进步带来的工序量增加：从90nm CMOS工艺的40道薄膜沉积工序，到3nm FinFET工艺产线已增至100道，先进制程对沉积设备的需求量显著提升。
其二是芯片结构向3D化发展：在3D NAND Flash产线中，薄膜沉积设备在资本开支中的占比从2D时代的18%提升至26%，堆叠层数与薄膜工艺直接挂钩。拓荆科技的PECVD设备已覆盖32-128层3D NAND FLASH制造，并进入产业化验证阶段，直接受益于存储芯片扩产浪潮。
拓荆科技的国产化位置
在竞争格局方面，薄膜沉积设备各细分赛道长期由应用材料、东京电子等国际巨头垄断。拓荆科技是目前国内唯一实现PECVD产业化的厂商，产品覆盖180-14nm制程逻辑芯片，其中12英寸PECVD设备PF-300T已实现28nm以上制程的产业化应用，PF-300T eX则面向14-28nm制程处于产业化验证阶段。
从国内市场需求看，按国盛证券估算，中国大陆对CVD和PVD的市场需求合计在200亿元左右。以长江存储的采购数据为例，拓荆科技中标薄膜设备数量从2018年的1台增至2020年的3台，在部分产线的国产化率已达到11%左右。整体而言，国产薄膜沉积设备在主流存储产线的占有率仍处于较低水平，替代空间广阔。
常见问题
拓荆科技的核心产品是什么？
拓荆科技的产品覆盖了规模最大的PECVD、需求增长最快的原子层沉积（ALD）以及SACVD设备。其中PECVD是公司主力产品，已覆盖180-14nm逻辑芯片制程，并兼容氧化硅、氮化硅等多种薄膜材料。
国产薄膜沉积设备目前的国产化率如何？
以长江存储的采购数据为例，拓荆科技按机台数量计算的国产化率在2018-2020年间约为1%-4%，北方华创约为1%-4%。华虹无锡和华力集成的国产化率相对更高，但总体仍在10%左右水平，国产替代尚处早期阶段。
拓荆科技在先进制程方面进展如何？
拓荆科技的PEALD设备可广泛应用于14nm及以下的逻辑芯片，在国内处于领先地位。其PECVD产品中，面向10nm以下制程的PF-300T pX型号尚在研发中，Thermal-ALD设备也处于研发阶段，先进制程布局持续推进。