光谱吸收率直接决定激光雷达的可用波长窗口，进而影响光源、探测器与镀膜工艺的选型成本。根据大气吸收光谱数据，1.5μm 附近吸收率约为 70%，而 2.0μm 附近降至约 2%——吸收率越低，大气对光信号的衰减越小，但对应波长的光源与探测器产业链成熟度也越低，成本随之上升。车载光学的盈利模式，核心取决于光学元件良率与整机集成环节的价值分配。
吸收率梯度如何影响器件选型成本
大气吸收光谱显示，0.8μm 附近吸收率约 10%，0.9μm 约 25%，1.0μm 约 45%，1.1μm 约 75%，1.2μm 约 95%，1.3μm 达到 100%，1.5μm 回落至约 70%，2.0μm 则降至约 2%。这一梯度意味着：波长越长，大气吸收越弱，但可选光源与探测器的产业基础也越薄弱。 目前具备产业基础的波长主要是 905nm 和 1550nm，前者对应消费电子，后者对应光通信领域。
从成本角度看，1550nm 激光器在材料中用到磷化铟（InP），相比常见的砷化镓（GaAs）成本更高。以 4 寸 InP 与 6 寸 GaAs 的对比数据为例，后道工序（Process BE）成本前者为 100%、后者为 62%（VCSEL）与 58%（EEL）；外延环节前者为 25%、后者为 18% 与 8%；衬底环节前者为 5%、后者均为 2%。若按相同尺寸比较，两者差距还会更大。因此，905nm 凭借性价比优势在较长时间内保持主流地位，而 1550nm 的机会更多出现在测距逻辑从 ToF 转向 FMCW 之后。
车载光学的成本结构与价值分配
激光雷达硬件分为发射、扫描、接收三个模块。从 2021 年激光雷达物料（BOM）结构看，发射模块与接收模块各占 30%，人工调试占 25%，机械装置等其他配件占 8%，控制模块占 5%，其他占 2%。收发模块合计占比明显高于扫描模块，这也是二级市场上收发环节更受关注的原因。
在发射端，905nm 波长下主要有 EEL（边发射激光器）与 VCSEL（垂直腔面发射器）两种结构。EEL 因侧面发光，需在晶圆形成后切割并对侧面处理镀膜；按 Yole 统计，EEL 在后道工序成本上至少高出 VCSEL 一倍以上。VCSEL 工艺与主流半导体产业更接近，并可通过堆叠激光器弥补功率短板，华为、禾赛等厂商目前以 VCSEL 路线为主。
在接收端，探测器与光源相互匹配。受硅材料限制，SiPM（硅光电倍增管）只能探测 1100nm 以下光子，无法用于 1550nm 光源；1550nm 只能用 APD（雪崩光二极管）。905nm 下，更敏感的 SPAD（单光子雪崩光二极管）与 SiPM 更具优势，但缺点是易受强光干扰。
盈利的关键变量在于：光学元件良率能否支撑规模化交付，以及整机集成环节能否在价值分配中获取合理份额。 元件端看工艺成熟度与后道成本控制，整机端看集成复杂度与调试效率——人工调试在 BOM 中占比达 25%，说明集成环节本身仍占据较高价值量。
常见问题
为什么 1550nm 探测距离和人眼安全更有优势，却没有成为主流？
1550nm 在探测距离和人眼安全角度确有优势，主要短板是成本。其激光器材料用到磷化铟（InP），相比砷化镓（GaAs）成本更高；同时 1550nm 探测器只能用 APD，而 905nm 下可选用更敏感的 SPAD 与 SiPM。制造业优先考虑成本与效益的结合，因此 905nm 在较长时间内保持主流。
吸收率越低是否意味着器件越便宜？
并非如此。吸收率低只说明大气衰减小，不等于器件成本低。2.0μm 附近吸收率虽仅约 2%，但该波长的光源与探测器产业基础薄弱，选型成本反而更高。目前具备产业基础的主要是 905nm 和 1550nm，前者对应消费电子、后者对应光通信，产业基础才是成本的决定性因素。
VCSEL 为什么被认为更可能主导未来产业链？
一是制作工艺与主流半导体产业更接近，EEL 因侧面发光需额外切割、侧面处理与镀膜，按 Yole 统计其后道工序成本至少高出 VCSEL 一倍以上；二是 VCSEL 可通过堆叠激光器弥补功率较低的缺点。华为、禾赛等厂商目前以 VCSEL 路线为主。