车载光学激光雷达BOM中，发射模块与接收模块各占30%，是价值量最高的两大部件，而905nm与1550nm两种技术路线的成本结构差异，核心在于激光器材料与封装体系的不同：905nm路线以砷化镓（GaAs）基的EEL/VCSEL芯片为主，成本集中在芯片制造与后道封装；1550nm路线因使用磷化铟（InP）材料，衬底与工艺成本显著更高，且需匹配光纤器件与更复杂的温控方案。
成本结构的核心差异
两种波长的成本分野首先来自材料体系。1550nm激光器使用**磷化铟（InP）衬底，而905nm主流方案使用砷化铟（GaAs）**衬底。从行业对比数据看，即便以4英寸的InP与6英寸的GaAs对比，InP在衬底、外延（Epitaxy）、前后道工艺（Process FE/BE）各环节的成本占比均明显更高；若同为相同尺寸，差距还会进一步拉大。这意味着1550nm在芯片源头就承担了更高的材料与制造成本。
其次，两种路线对封装与系统集成的依赖不同。905nm的EEL（边发射激光器）由于侧面发光，需在晶圆成型后进行切割、侧面处理与镀膜，按行业机构（Yole）统计，其后道工序成本至少比VCSEL（垂直腔面发射激光器）高出一倍以上；而VCSEL工艺与主流半导体制造更兼容，并可堆叠形成发射阵列，是当前多家厂商主攻的结构方向。1550nm侧则因光源特性，需要额外的光纤器件与温控管理，系统复杂度进一步推高成本。
两种路线的成本下降路径差异
905nm路线的降本空间主要来自半导体产业的规模效应：VCSEL工艺与主流半导体产线兼容度高，随着车载激光雷达放量，芯片制造成本有望随晶圆尺寸升级与良率提升而摊薄；EEL虽后道成本较高，但同样受益于成熟产业链的规模化。
1550nm路线的降本则更多依赖光通信产业链的迁移。该波长在光通信领域已有深厚产业基础，若测距逻辑从当前主流的TOF转向下一代FMCW——后者在光通信中广泛使用1550nm光源——则有望借助既有产业链实现成本优化。但在当前ToF主导的阶段，1550nm的材料成本劣势仍是主要制约。
BOM中的人工调试成本不容忽视
除发射与接收模块各占30%外，人工调试占BOM的25%，是仅次于收发模块的第三大成本项。这一高占比意味着，无论选择905nm还是1550nm，整机的盈利模式都高度依赖生产端的自动化程度与调试效率。对两种路线而言，量产规模效应不仅作用于芯片与器件成本，更关键的是能否通过工艺标准化降低人工调试占比——这可能是决定最终单位成本差异的隐藏变量。
常见问题
905nm和1550nm谁更便宜？
905nm路线当前更具性价比优势，是行业主流。核心原因在于其砷化镓材料体系与半导体产业链成熟度更高，而1550nm使用的磷化铟材料在衬底与工艺各环节成本均显著更高。
1550nm的成本劣势能被技术优势抵消吗？
1550nm在探测距离与人眼安全方面更有优势，但成本是制造业选型的首要考量。其降本机会主要来自测距逻辑向FMCW演进后，可复用光通信领域成熟的1550nm产业链基础。
发射模块30%的成本主要花在哪里？
对905nm路线，成本集中在芯片制造（外延、前后道工艺）与封装环节，其中EEL的后道工序成本显著高于VCSEL；对1550nm路线，除昂贵的磷化铟衬底外，还需计入光纤器件与温控等系统集成成本。