在车载激光雷达的成本构成中，EEL（边发射激光器）与 VCSEL（垂直腔面发射激光器）在芯片制造与封装环节存在显著差异，VCSEL 凭借与主流半导体工艺兼容的特性，在后道工序成本上具有明显优势。以 905nm 波长的 GaAs 基激光器为例，VCSEL 的制造工艺更接近标准半导体流程，而 EEL 因侧面发光结构需在晶圆切割后额外进行侧面处理和镀膜，导致其后道工序成本至少高出 VCSEL 一倍以上。
芯片制造成本：工艺兼容性决定差距
在芯片制造前端，EEL 与 VCSEL 均基于 GaAs 衬底，但工艺复杂度不同。VCSEL 的工艺流程与主流半导体工艺完全兼容，可在晶圆级完成测试和筛选，大幅提升良率管理效率；而 EEL 需在切割后对每个芯片的侧面进行单独处理，增加了制造环节的耗时与成本。根据知名半导体研究机构的统计，EEL 的后道工序成本至少高出 VCSEL 一倍以上。
封装成本：阵列化与单点耦合的差异
VCSEL 易于实现阵列化封装，可将多个发光单元集成在同一芯片上，通过堆叠激光器（多结 VCSEL）提升功率，封装成本随集成度提高而摊薄。相比之下，EEL 通常需要单独的光纤耦合或透镜对准，每个发光点需独立封装，人工调试和耦合成本更高。这一差异在车载激光雷达对多通道、高功率的需求下尤为突出。
激光器成本在激光雷达总成本中的占比
在激光雷达的物料成本（BOM）中，发射模块（激光器）占比约 30%，接收模块同样占比 30%，两者合计占整机成本的六成左右。随着 VCSEL 技术成熟和量产规模扩大，其成本有望进一步下降，从而推动车载激光雷达整体成本降低。
常见问题
VCSEL 相比 EEL 的核心成本优势体现在哪里？
VCSEL 的制造工艺与主流半导体工艺兼容，可在晶圆级完成测试，省去了 EEL 切割后对侧面进行单独处理和镀膜的后道工序，后道工序成本至少低一倍以上。同时，VCSEL 易于阵列化封装，减少了单点耦合的封装成本。
多结 VCSEL 如何影响成本？
多结 VCSEL 通过垂直堆叠多个发光层提升功率，在不显著增加芯片面积的前提下提高输出光强，有效摊薄了单颗芯片的封装和制造成本，使 VCSEL 在满足车载激光雷达高功率需求时仍保持成本竞争力。
905nm 与 1550nm 激光器的成本差异主要来自哪里？
1550nm 激光器需使用磷化铟（InP）衬底，而 905nm 激光器采用砷化镓（GaAs）衬底。InP 衬底成本显著高于 GaAs，且 InP 晶圆尺寸通常更小（如 4 英寸 vs GaAs 的 6 英寸），进一步推高了单位成本。因此 905nm 激光器在性价比上更具优势，是目前车载激光雷达的主流选择。