在车载光学领域，EEL（边发射激光器）因高功率优势，主要适配L3+级远距激光雷达；VCSEL（垂直腔面发射器）则凭借低功耗、易集成的特点，主导近距补盲雷达和舱内感测场景。两者的需求结构随智能驾驶等级提升而分化。
EEL：远距激光雷达（L3+）的主流光源
EEL（边发射激光器）的激光平行于衬底侧面发射，能输出更高功率，适合对探测距离要求严苛的远距主激光雷达。在905nm波长的主流方案中，EEL凭借较高的峰值功率成为L3+级自动驾驶的核心光源。不过，EEL的后道工序成本较高——官方资料指出，按知名半导体研究机构Yole的统计，EEL在后道工序的成本至少高出VCSEL一倍以上，且其制作工艺需在晶圆形成后进行切割、侧面处理与镀膜，与主流半导体工艺兼容性较弱。
VCSEL：近距补盲与舱内感测的优选
VCSEL（垂直腔面发射器）的激光垂直于衬底上表面发射，制作工艺与主流半导体工艺完全兼容，易于集成和量产。其低功耗特性使其在近距补盲雷达和舱内感测（如驾驶员监控、手势识别）中占优。官方资料指出，VCSEL可通过堆叠激光器弥补过去功率较低的缺点，华为、禾赛等厂商已主要采用VCSEL路线。在905nm波长下，VCSEL配合更敏感的SiPM（硅光电倍增管）探测器，能有效应对短距场景。
智能驾驶等级提升对需求结构的影响
随着自动驾驶从L2向L3+演进，激光雷达配置从单颗远距向“1颗远距+多颗补盲”的混合方案发展。这一变化推动远距场景继续依赖EEL的高功率，而补盲与舱内感测场景加速VCSEL的渗透。官方资料指出，从结构趋势看，VCSEL更有可能主导未来的产业链，原因在于其工艺兼容性和可堆叠性。
常见问题
EEL和VCSEL在成本上主要差异在哪？
EEL的后道工序成本显著高于VCSEL。官方资料引用Yole统计显示，EEL在后道工序的成本至少高出VCSEL一倍以上，这主要源于EEL需对晶圆进行切割、侧面处理和镀膜等复杂步骤。
1550nm激光器为何不适合VCSEL主流路线？
1550nm激光器因材料使用磷化铟（InP），成本远高于905nm的砷化镓（GaAs）方案。官方资料指出，1550nm的单颗成本优势有限，其机会更多在下一代FMCW测距技术中，因为FMCW在光通信领域已广泛使用1550nm光源。
VCSEL如何克服功率不足的问题？
VCSEL可通过堆叠激光器形成发射阵列来提升功率。官方资料以禾赛科技为例，展示了其通过堆叠芯片形成发射阵列的方案，从而弥补VCSEL单颗功率较低的短板。