车载光学激光雷达的波长选择，核心在于 905nm 与 1550nm 两条技术路线的博弈，而国产替代的进程在两条路线上呈现出显著差异：905nm 路线的发射芯片（EEL/VCSEL）已具备较强的国产化能力，但高端探测器（SiPM）仍是短板；1550nm 路线的光纤激光器国产化基础较好，但核心的 InGaAs 探测器对进口依赖度较高。整体来看，905nm 路线凭借性价比优势仍是当前主流，而 1550nm 路线的国产替代机会则更多集中在 FMCW 技术演进带来的产业链重构中。
两条主流波长的产业逻辑
车载激光雷达的主流测距原理是 TOF（飞行时间法），其硬件核心在于发射与接收模块，两者在物料成本中各占约 30% 的价值量。在波长选择上，905nm 与 1550nm 之所以脱颖而出，是因为它们既不易被大气吸收，又不会与可见光混淆，是满足客观物理条件的稀缺波长。
从产业基础看，905nm 对应消费电子产业链，1550nm 则源自光通信领域。905nm 激光器采用砷化镓（GaAs）材料，成本优势明显，因此在未来数年内仍将保持主流地位；1550nm 激光器使用磷化铟（InP）材料，在探测距离和人眼安全方面更具优势，但成本显著更高。值得注意的是，1550nm 的真正机会可能出现在测距逻辑从 TOF 向 FMCW 演进之后，因为 FMCW 技术本就广泛运用 1550nm 光源，具备产业链迁移的基础。
核心器件的国产化进展
905nm 路线：发射端自主化领先，接收端仍是短板
在 905nm 波长下，激光器主要有 EEL（边发射激光器）和 VCSEL（垂直腔面发射激光器）两种结构。VCSEL 因工艺与主流半导体产业高度兼容，且可通过堆叠激光器弥补功率不足的缺点，被多家头部厂商作为主要技术路线。国内在 EEL/VCSEL 芯片领域已形成一定的国产替代能力，具备较强的产业配套基础。
然而，905nm 路线的接收端——SiPM（硅光电倍增管）探测器，国产化率仍然偏低。由于硅材料的物理限制，SiPM 只能探测 1100nm 以下的光子，虽然与 905nm 光源天然匹配，但这一核心器件的自主可控进程明显落后于发射端。
1550nm 路线：光纤激光器有基础，InGaAs 探测器依赖进口
1550nm 路线中，光纤激光器的国产化程度相对较高，这得益于国内光通信产业多年积累的供应链基础。但接收端的情况截然不同：由于硅材料无法探测 1550nm 波长的光子，必须采用 InGaAs 材质的 APD（雪崩光二极管），而这一核心器件高度依赖进口，是当前自主可控链条中最薄弱的环节之一。
常见问题
905nm 和 1550nm，哪条路线的国产替代难度更大？
1550nm 路线的整体国产替代难度更高。虽然其光纤激光器环节有较好的国产化基础，但 InGaAs 探测器是关键瓶颈；相比之下，905nm 路线在发射芯片端已具备较强国产能力，主要短板集中在 SiPM 探测器。
VCSEL 会成为 905nm 路线的主流技术吗？
VCSEL 更有可能主导未来的产业链。其制作工艺与主流半导体产业更为相近，后道工序成本显著低于 EEL，且可通过堆叠激光器弥补功率不足的缺点，已被多家头部厂商采纳为主要技术路线。
1550nm 路线的国产替代机会在哪里？
机会集中在 FMCW 技术演进带来的产业链重构。FMCW 测距方式在光通信领域已有广泛应用基础，而该领域恰恰使用 1550nm 光源，这为国内光通信产业链向车载激光雷达延伸提供了天然的迁移路径。