车载光学收发模块占BOM 60%，其成本结构和盈利模式有何特点？

"因为 905nm 激光器使用成本更低的砷化镓（GaAs）衬底，且具备消费电子产业的成熟供应链，性价比突出。1550nm 虽在探测距离和人眼安全上更优，但磷化铟（InP）材料成本高昂，短期内难以替代。"

"VCSEL 的后道工序（切割、镀膜等）成本比 EEL 至少低一倍以上，且其工艺与主流半导体制造完全兼容，更容易实现大规模量产和堆叠集成，从而降低整体成本。"

"规模化生产能显著提升芯片和封装的良率，直接降低单位成本。随着出货量增长，收发模块厂商的毛利率有望改善，但需持续投入技术迭代以应对整车厂的降价要求。"

在激光雷达的物料成本（BOM）中，收发模块合计占比高达 60%（发射模块与接收模块各占 30%），是价值量最高的核心环节。其成本结构以芯片（激光器芯片和探测器芯片）为主导，盈利模式则高度依赖规模化生产带来的良率提升与技术迭代，以应对持续降价的行业压力。

收发模块的成本结构

收发模块的成本主要由芯片、封装和测试构成。其中，芯片成本占比最大，且受技术路线影响显著：

波长路线：主流 905nm 激光器使用砷化镓（GaAs）衬底，相比 1550nm 所需的磷化铟（InP）衬底，成本优势明显。例如，4 英寸 InP 的 EEL（边发射激光器）在衬底、外延、前后道工艺成本上均高于 6 英寸 GaAs 的 VCSEL（垂直腔面发射器）或 EEL。
集成结构：VCSEL 的工艺与主流半导体制造更兼容，其后道工序成本比 EEL 至少低一倍以上，且可通过堆叠芯片提升功率，正成为头部厂商（如华为、禾赛）的主流选择。
探测器匹配：905nm 波长下，SiPM（硅光电倍增管）和 SPAD（单光子雪崩光二极管）更敏感且成本可控；1550nm 则需使用更昂贵的 APD（雪崩光二极管），进一步推高成本。

收发模块的盈利核心在于规模效应与技术迭代：

良率与规模：随着出货量提升，芯片制造和封装的良率会快速爬升，直接摊薄单位成本。例如，VCSEL 的晶圆级工艺使其更容易实现规模化降本。
降价压力驱动：激光雷达整车持续降价，要求收发模块厂商通过优化芯片设计、推进集成化（如发射阵列） 来维持毛利率，同时利用 905nm 路线的性价比优势守住主流市场。

因为 905nm 激光器使用成本更低的砷化镓（GaAs）衬底，且具备消费电子产业的成熟供应链，性价比突出。1550nm 虽在探测距离和人眼安全上更优，但磷化铟（InP）材料成本高昂，短期内难以替代。

VCSEL 的后道工序（切割、镀膜等）成本比 EEL 至少低一倍以上，且其工艺与主流半导体制造完全兼容，更容易实现大规模量产和堆叠集成，从而降低整体成本。

规模化生产能显著提升芯片和封装的良率，直接降低单位成本。随着出货量增长，收发模块厂商的毛利率有望改善，但需持续投入技术迭代以应对整车厂的降价要求。