英搏尔集成芯2.0采用兼容SiC单管的设计方案,在功率密度、成本控制与封装工艺上形成了相比SiC模块方案的差异化技术壁垒。其核心优势在于通过单管并联技术发挥碳化硅导通电阻小、开关速度快的特性,将驱动总成功率密度提升至2.45kW/kg(集成芯1.0为2.38kW/kg),同时规避了SiC模块封装难度大、成本高的瓶颈。

技术路线之争:SiC单管 vs SiC模块

英搏尔集成芯2.0与主流SiC模块方案的本质区别在于功率器件的封装与连接方式。官方资料指出,碳化硅应用因其对产品稳定性要求更高,SiC模组封装的难度加大,运用单管并联技术才能发挥其导通电阻小、开关速度快的最优特性

下表对比了集成芯系列与主流动力总成的关键差异:

对比维度主流动力总成集成芯1.0集成芯2.0
电控功率模块IGBT模组IGBT单管IGBT单管/碳化硅单管
集成形式物理单体集成电机电控一体化电机电控一体化
功率密度1.86kW/kg2.38kW/kg2.45kW/kg

单管方案在成本端具有天然优势——单管器件本身成本低于模块封装,且无需模块化封装环节。但这一路线对并联均流、散热设计与封装工艺提出了更高要求,这正是英搏尔构建竞争壁垒的着力点。

竞争壁垒:工艺Know-how与专利积累

SiC单管方案的壁垒并非来自器件本身,而在于如何实现多管并联下的动静态均流、可靠散热与长期稳定性。英搏尔能够成熟应用单管并联技术,主要基于公司的动静态均流技术、层叠功率母排技术和电容阵列技术等核心能力。

其中,公司核心技术PEBB(电力电子集成)已申请4项PCT国际发明专利,叠层母排核心底层技术已获得美、日、欧等国家授权。官方资料强调,其他企业学习公司部分技术仍需要经过较长的工艺成熟期和产品定点到量产的过程——单管方案要实现安全可靠难度较大,即使认证完成至少也需要3年,这意味着后来者切入该技术路线的周期极长。

常见问题

为什么SiC单管方案比模块方案更难做?

SiC单管方案需要解决多管并联时的均流问题,同时对散热设计和封装工艺要求极高。官方资料指出,切入单管问题要实现安全可靠比较难,会出现爆炸冒烟风险,客户不愿意尝试,认证周期至少3年。

英搏尔的单管并联技术在国内处于什么地位?

英搏尔是国内唯一使用单管并联技术的三方供应商,该技术全球只有特斯拉和英搏尔能做。其集成芯2.0已开发出兼容SiC单管的设计方案,在碳化硅应用方面具有明显先发优势。

集成芯2.0相比1.0版提升了什么?

集成芯2.0将电机方案升级为扁线电机,电控功率模块兼容IGBT单管与碳化硅单管,功率密度从1.0版的2.38kW/kg提升至2.45kW/kg,进一步提升了电机控制器的功率密度和效率。