中微公司CCP刻蚀设备已进入台积电7nm和5nm产线，是唯一一家进入台积电供应链的国产刻蚀设备厂商，这标志着国产刻蚀在先进制程上取得了实质性突破。从供需节奏看，刻蚀设备国产替代正处在“先进制程验证通过、份额持续提升、产能加速扩张”的关键阶段。
需求端：制程升级与结构3D化驱动刻蚀量价齐升
刻蚀设备需求扩张的核心驱动力来自两方面。一是制程微缩带来的刻蚀次数激增：从65nm节点的20次一路攀升至5nm节点的160次，先进制程对刻蚀设备数量和质量的要求显著提升。二是存储芯片向3D结构演进，以3D NAND为例，刻蚀设备在产线设备价值量中的占比从2D时代的15%大幅提升至50%，成为价值量最高的设备环节。
供给端：中微公司CCP设备覆盖5nm，大陆份额约20%
中微公司自成立起便深耕CCP（电容性等离子体刻蚀）设备，产品制程从65nm一路迭代至目前最先进的5nm，覆盖约七成的介质刻蚀应用。其CCP产品在台积电7nm和5nm产线实现量产，同时在其他台湾晶圆厂和大陆晶圆厂的公开中标中占据较高比例。据SEMI数据，中微公司在大陆刻蚀设备市场的份额约为20%，北方华创约为6%。
在技术对比上，中微公司的CCP设备在7nm和5nm制程均已实现量产，与海外龙头处于同一梯队。此外，公司已从2012年起布局ICP（电感性等离子体刻蚀）设备，单台机于2020年起获得客户重复订单，双台机也已进入市场，制程达到28nm，并正在研发面向5nm逻辑芯片等领先工艺的下一代产品。
供需匹配：扩产周期与国产替代的共振窗口
当前刻蚀设备国产替代正处于供需共振的窗口期。需求侧，下游晶圆厂扩产与先进制程/3D结构升级同步推进，刻蚀设备需求持续旺盛；供给侧，中微公司CCP产品已通过最严格的先进制程验证，ICP产品线也在快速补齐。资料显示，中微公司正在建设新厂房，全部落地后将拥有40万平米厂房，为未来10到15年的产能扩张提供保障。不过，公司在CCP领域仍有短板，用于逻辑芯片的大马士革刻蚀和用于3D存储芯片的高深宽比刻蚀目前仍由国外设备公司主导，相关产品的开发工作正在推进中。
常见问题
中微公司的刻蚀设备覆盖哪些制程？
中微公司CCP设备制程覆盖65nm至5nm，其中7nm和5nm均已实现量产；ICP设备制程达到28nm，并正在研发面向5nm逻辑芯片的下一代产品。
刻蚀设备在大陆市场的国产化率如何？
据SEMI估算，中微公司和北方华创在大陆刻蚀设备市场的份额分别约为20%和6%，海外厂商仍占据主要份额，国产替代空间依然广阔。
3D NAND对刻蚀设备的需求有多大提升？
在3D NAND制造中，刻蚀设备的价值量占比从2D时代的15%提升至50%，是价值量增幅最大的设备环节，直接驱动了刻蚀设备市场的持续扩容。