中微公司作为唯一进入台积电供应链的国产刻蚀设备厂商，其CCP刻蚀设备已覆盖7nm和5nm先进制程并实现量产，这一突破标志着国产设备在先进制程领域实现了从0到1的跨越。先进制程刻蚀设备市场的空间，核心在于制程越先进、刻蚀环节的价值量和需求量越大——从65nm节点的20次刻蚀，到5nm节点已增至160次，刻蚀设备在晶圆厂资本开支中的占比随之持续提升，为国产设备厂商打开了可观的增量空间。
先进制程驱动刻蚀设备价值量持续提升
刻蚀设备市场空间的增长，首先来自制程升级带来的“量”的提升。随着逻辑芯片制程从65nm向5nm演进，刻蚀次数从20次一路增至160次，多重模板工艺要求晶圆厂配置更多数量的刻蚀机台。与此同时，芯片向3D结构发展后堆叠层数增加，对刻蚀设备的数量和质量都提出了更高要求。
在设备价值量占比上，以3D NAND制造为例，刻蚀设备在产线设备投资中的占比可从2D NAND时代的15%提升至50%，成为占比最高的设备品类之一。这种“量价齐升”的逻辑，是先进制程刻蚀设备市场空间持续扩大的根本驱动力。
国产化率提升带来结构性增量
从竞争格局看，全球干法刻蚀设备市场高度集中，泛林半导体、东京电子和应用材料三家合计份额约九成。在中国大陆市场，国产化已取得实质进展——中微公司在大陆刻蚀设备市场的份额约20%，北方华创约6%，其余份额仍由国际厂商占据，国产替代空间依然广阔。
中微公司作为国产刻蚀设备龙头，其CCP产品已进入台积电7nm和5nm产线，是唯一进入台积电供应链的国产刻蚀设备厂商。这份先发优势的意义在于：先进制程产线对设备验证要求极高、导入周期长，一旦进入并稳定量产，客户粘性较强，有助于公司在后续扩产和新建产线中持续获得份额。同时，中微公司已从传统优势的CCP领域切入ICP赛道，ICP设备制程达到28nm，正在研发面向5nm逻辑芯片等领先工艺的下一代产品，有望打开新的增长空间。
常见问题
中微公司的刻蚀设备进入了哪些先进制程？
中微公司的CCP电容性等离子体刻蚀设备已覆盖从65nm到5nm的制程工艺，其中7nm和5nm均已实现量产，并成功进入台积电产线，是唯一进入台积电供应链的国产刻蚀设备厂商。
为什么制程越先进，刻蚀设备越重要？
先进制程需要采用多重模板工艺，刻蚀次数随制程升级大幅增加——从65nm的20次到5nm的160次。同时芯片向3D结构发展后堆叠层数增加，晶圆厂对刻蚀设备的数量和质量要求都显著提升，驱动刻蚀环节价值量持续上升。
国产刻蚀设备的市场机会有多大？
国产化率仍处于较低水平，以中微公司约20%的大陆市场份额为例，大部分市场仍由国际厂商占据。随着本土晶圆厂扩产和国产设备验证推进，具备先进制程能力的国产厂商有望在存量替代和增量市场中获得持续增长空间。