前瞻技术攻关与商业价值重塑

碳化硅衬底尺寸的扩大，直接关乎下游产业链的降本增效。相比于主流的8英寸产品，12英寸衬底在单片边缘可用面积上具备天然优势，能够显著提升单颗芯片的产出率。天岳先进不仅是全球少数能够实现8英寸SiC衬底量产的公司，更率先推出了12英寸产品，完成了涵盖导电N型、导电P型及高纯半绝缘型的全系列技术攻关。

这种全面的技术平台布局不仅顺应了行业周期中部分衬底产品价格结构性上涨的趋势，更将前瞻性的研发投入转化为实实在在的商业潜力。目前，部分头部客户已启动对相关产品的验证或下达订单，标志着公司的技术壁垒正在转化为未来的核心营收驱动力。

常见问题

天岳先进在12英寸碳化硅领域的研发进展到了什么阶段？

公司已率先推出12英寸碳化硅衬底，并完成了12英寸导电N型、导电P型及高纯半绝缘型全系列产品的技术攻关。目前，部分头部客户已经启动了对相关产品的验证流程或直接下达了订单。

天岳先进在碳化硅行业的市场地位如何？

公司具备规模化的量产能力。根据 Japan Fuji Economy 的测算数据，天岳先进在全球导电型碳化硅衬底材料市场中占据重要地位，其技术与产能均处于行业第一梯队。

推进12英寸碳化硅技术的商业意义是什么？

向12英寸等更大尺寸进阶，能够有效提升晶圆材料的利用率，从而大幅降低下游芯片制造的单片成本。同时，全系列产品的技术攻克与客户验证，有助于构筑深厚的综合平台壁垒。