XDFOI无硅通孔技术的核心突破

在传统TSV 2.5D封装方案中，成本与产能瓶颈日益显现。长电科技推出的XDFOI®高端封装平台采用了无硅通孔技术路线，在布线密度上实现了2μm线宽/线距的突破。该平台为芯粒提供了极高密度扇出型多维异质集成，不仅能集成多颗逻辑芯粒和高带宽内存，还能灵活整合无源器件，实现2D/2.5D/3D的灵活配置。这种高集成度有效化解了AI算力爆发带来的多芯片堆叠难题。

先进封装行业的演进与竞争格局

进入后摩尔时代，半导体产业的技术重心已向封装与系统级集成延伸，行业竞争格局正向高可靠性、低成本方向加速转化。长电科技构建了以大颗FCBGA为底座、XDFOI®芯粒异构集成为核心的完整高性能计算技术矩阵，并在RDL有机中介层、硅中介层及硅桥三条2.5D技术路径上全面布局。凭借在封装集成、热管理及可靠性验证等核心环节的能力，其技术主要向下兼容AI、HPC和数据中心等核心应用。

常见问题

长电科技XDFOI技术与传统TSV 2.5D方案有何区别？

XDFOI®平台采用无硅通孔技术路线，支持2μm线宽/线距。官方表述显示，相较于传统TSV 2.5D方案，该技术在性能、可靠性以及成本维度上具备综合优势。

XDFOI平台目前的技术成熟度与产能状态如何？

官方介绍指出，该旗舰级XDFOI®平台已进入稳定量产阶段。同时，依托该平台的相关硅光引擎产品已完成客户样品交付并通过验证，具备进入规模量产的技术条件。

长电科技在先进封装领域还面临哪些潜在风险？

尽管技术进展显著，但仍需注意宏观经济波动风险、汇率波动风险，以及先进封装技术研发与新产能量产导入不及预期的风险。

XDFOI®重塑上下游协同模式

长电科技的XDFOI®平台线宽/线距可达2μm，通过无硅通孔技术路线实现了2D/2.5D/3D的灵活配置。在产业链协同上，该技术方案改变了传统的上下游交互逻辑：

• 上游材料与工艺环节：相较于传统依赖TSV的2.5D方案，无硅通孔路线改变了中介层的工艺制程，结合公司大颗FCBGA底座，重塑了上游有机中介层、硅中介层及硅桥等基板材料的供应与应用模式。
• 下游芯片设计环节：该技术能够将多颗逻辑芯粒、高带宽内存（HBM）及无源器件进行高度集成。这不仅提升了异构封装的密度，还改变了下游AI加速芯片、GPU和CPU的设计协同方式，帮助下游在性能、可靠性及成本维度获得综合优势。

常见问题

XDFOI®在封装流程中替代了哪个环节？

XDFOI®采用无硅通孔技术路线，在2.5D先进封装方案中替代了传统的TSV（硅通孔）环节。它通过极高密度扇出型多维异质集成，重新构建了芯粒之间的互联架构。

长电科技在半导体产业链中具体提供什么服务？

长电科技作为集成电路封测企业，处于半导体产业链的中后段封测环节。公司面向AI、高性能计算和数据中心等领域，提供涵盖设计仿真、晶圆中测、先进封装、成品测试的全链路服务。

长电科技的无硅通孔封装主要应用于哪些场景？

该技术主要应用于CPU、GPU及AI加速芯片的异构封装，可集成多颗逻辑芯粒、高带宽内存及无源器件。此外，该技术也向光电共封装（CPO）延伸，用于将光引擎与ASIC芯片集成于同一基板。