台积电CoPoS封装技术即将升级，从CoWoS到CoPoS的转变将催生哪些新设备需求？

Thu, 28 May 2026 13:57:21 +0800

台积电将部分CoWoS升级为基于玻璃基板的CoPoS，首条试验产线即将启动。工艺切换将拉动激光钻孔与电镀设备需求激增超40%，重点关注TGV成孔及高精度光刻设备的新增量。

台积电为何计划将部分CoWoS产能升级为CoPoS工艺？

台积电将部分CoWoS产能升级为CoPoS，核心原因在于传统硅中介层面临算力芯片的面积与成本瓶颈。CoPoS采用玻璃基板，能提供更大的封装面积与更优的电学性能。从硅中介层向玻璃基板的彻底转变，无法沿用老旧产线，必须引入全新加工设备匹配玻璃材质的物理特性。

台积电CoPoS技术升级将直接催生激光钻孔、高深宽比电镀与高精度光刻对准三大关键设备需求。这三种设备分别解决玻璃基板垂直导电、深孔填充与多层布线的工艺难点。以下为CoPoS核心增量设备需求解析：

台积电CoPoS是采用玻璃基板替代硅中介层的新一代先进封装技术。相比CoWoS，CoPoS能降低基板损耗约20%，并显著提升芯片面积扩展能力。

TGV（玻璃通孔）加工极易导致玻璃基板碎裂，必须依赖特定波长的激光设备进行高精度局部加工。预计该钻孔设备将占CoPoS前段工艺资本支出的30%以上。

高深宽比电镀设备负责在极细的玻璃通孔内无缝填充导电金属铜。由于玻璃通孔深宽比大幅增加，该设备能确保信号传输电阻降低15%以上。